【摘 要】
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本文报道了采用电阻加热提拉法(CZ)生长出光学均匀性和质量一致性好的MgF2单晶.将高纯的固体料置于石墨坩埚内,抽真空度至10-4Pa,通入高纯CF4气体,加热使其熔化,然后以较
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
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本文报道了采用电阻加热提拉法(CZ)生长出光学均匀性和质量一致性好的MgF2单晶.将高纯的固体料置于石墨坩埚内,抽真空度至10-4Pa,通入高纯CF4气体,加热使其熔化,然后以较快速率进行结晶,将结晶后的晶块取出,去除表面杂质,然后将晶块用于晶体生长.氟化镁晶体在生长过程中加入一定量的除氧剂,以防止氧或羟基进入晶体中.将处理后的晶体料装入石墨坩埚并抽真空,真空度应达到10-4Pa以上,按程序进行升温并保温使原料充分熔化.晶体生长工艺对晶体质量有重大影响,通过优化工艺,利用计算机自动控制生长,在真空炉中进行精密退火,得到优质的MgF2晶体.我们采用提拉法生长的MgF2晶体最大尺寸(Φ75mm×125mm),采用(分光光度计)型红外分光光度计和岛津紫外分光光度计测试了氟化镁晶体样品的透过率；采用应力仪测试了氟化镁晶体的应力双折射.测试结果表明,样品在0.11～9μm范围内晶体的最高透过率约为90％,晶体的应力双折射约为8nm/cm.
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