【摘 要】
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采用固相反应法制备了Co3O4掺杂Mg2SiO4微波介质陶瓷。研究Co2+离子掺杂对Mg2SiO4陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明：Co2+可以完全取代Mg2+固溶在Mg2SiO4晶体中形成(CoxMgl-x)2SiO4固溶体，通过调整加入的Co3O4的摩尔量可以获得介电性能优良的微波陶瓷。当x=0.025时，在1250℃下保温3h，(Co0.025Mg0.975)2SiO4陶瓷具有
【机 构】
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天津大学先进陶瓷级加工技术教育部重点实验室 北京航空材料研究院先进高温结构材料国防科技重点实验室
【出 处】
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第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛
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采用固相反应法制备了Co3O4掺杂Mg2SiO4微波介质陶瓷。研究Co2+离子掺杂对Mg2SiO4陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明：Co2+可以完全取代Mg2+固溶在Mg2SiO4晶体中形成(CoxMgl-x)2SiO4固溶体，通过调整加入的Co3O4的摩尔量可以获得介电性能优良的微波陶瓷。当x=0.025时，在1250℃下保温3h，(Co0.025Mg0.975)2SiO4陶瓷具有良好的介电性能为:εr=7.7，Q=8850(1.8MHz)，电容温度系数为50.4×10-3/℃。
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