大电流下二极管热性能研究

来源 :2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuany06
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研究表明太阳能电池接线盒中的二极管不论在旁路工作还是反向截止状态,都会产生热量。电流和温度是影响硅基二极管长期可靠工作的重要因素。接线盒是连接光伏电池和系统的唯一电路通路。只有接线盒长期可靠的工作,系统才能稳定可靠发电。高效组件的电流比较大,发热比较厉害,就更应该注意接线盒的散热,这样才能保障二极管在高温下的通过电流能力和保障其长期可靠性。
其他文献
采用异质结结构是晶硅太阳电池获得高效率的发展方向。可用于构成异质结的备选材料很多,但需从理论上进行一定的优化选择。p型发射极需要具备较大的功函数,并且要在5.17至5.72 eV之间,但不是电池获得高效率的充分条件,还需要考虑发射极的价带能级Ev的位置。为降低制备难度,对发射极掺杂度要求越低越好,此时p型发射极的Ev大约在-5.57eV,功函数只需达到5.21eV即可。发射极掺杂度不高的情况下,实
介绍了TOPCon太阳电池的研究方案,指出彻底解决边缘绕镀,减小漏电是本研究的当前要务,通过进一步减小漏电,电池效率可以提升到22%优化电池的退火工艺,有限降低J0,进而提高背表面钝化特性,进一步提高电池的开路电压优化电池背面多晶硅的厚度,减小背面的寄生损失,可以进一步增加TOPCon的短路电流。
通过相同环境条件下的试验发现,本文所研制的自散热光伏组件与同规格的普通光伏组件相比,日发电量有11.5%的提升,本文的试验只是针对相同环境条件下发电性能的试验,后续工作将进一步分析自散热组件的耐候性、风速、温度具体变化对自散热组件的影响,并从生产制造工艺角度进一步提高自散热组件的生产工艺,降低自散热组件的生产成本。
因此,为了解决光伏输出功率的周期性和非平稳险问题,提出了一种基于WD和ANN的混合建模方法,实现了良好的算法收敛和预测结果。
Outline 1.Motivation 2.Suppressing interface recombination 3.Design & fabrication of carrier transporting layer 4.Summary
会议
针对双面电池组件PID失效问题,提出解决方法。电池减反膜折射率影响组件的抗PID性能,通过优化电池表面的钝化层,SiN4的致密性,在保证效率的前提下,制备更致密的保护层。有利于PID性能的提升。减少漏电流的通道,选用含钠离子少的玻璃,也可以选择透明背板,阻隔性高的POE,密封性优的胶等是防止PID发生的途径。透明背板主要是对P-PERC组件PID问题解决,N型PN结在正面。N型的PN结区域受影响程
介绍了N型太阳能电池硼发射极烧穿型铝浆的技术目标与路线,烧结工艺的冷却阶段,生成银微晶,实现块体Si与Ag栅线之间的欧姆接触。单独用银浆并不能烧穿钝化膜,在银浆内加入一些铝可以改善接触。
银直接与硅片接触会形成复合,会直接损失效率0.1-0.2%,形成全铝背场理论上可提高效率。接下来要提高银浆固含,增强银浆致密性,控制中间层玻璃材料对银浆的渗透,解决可焊性及拉力问题。
通过控制填料的粒径、晶型、分散均匀性、洁净度等方面改进,鹿山白色EVA封装胶膜反光率效果取得了新的突破,达到95%以上,对单玻/双玻组件均有明显功率增益效果。聚烯烃胶膜无酸性物质释放,不会腐蚀金属电极,具有更好的绝缘性,优秀的杭PID性能,更高的系统电压。聚酯封装胶膜具有很好的高温适应性。
在处理温度为200℃、注入电流为10A的条件下,当复原处理时间≤lOmin时,电注入复原处理后的电池的η、Isc和Voc相对于复原处理前的初始值均有明显的衰减,但在随后的12小时光衰过程中其抗光衰性能优于未复原处理的电池,且随着复原处理时间的增加其抗光衰性能有所增强.在注入电流为10A、处理时间为30min的条件下,200℃复原处理的电池的Isc,Voc和η相对于光衰前的初始值的衰减率最低(实际上