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用真空热壁沉积方法在HOPG基底上成功制备了较大面积的DDME有机单晶薄膜.首次通过STM观察到了其单晶区域的链状分子排列的微观结构.实验表明该薄膜在室温下具有很好的电学双稳态特性.利用STM等技术研究了该薄膜的信息存储特性.通过在STM针尖与HOPG基底之间施加脉冲电压,在该薄膜上实现了纳米尺寸的信息存储.并对薄膜的电开关机理进行了初步讨论.