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<正>量子比特纠缠对于芯片上量子信息器件起到了基础性的作用。基于纳米结构表面等离激元调控纠缠成为量子信息研究的一大热点。目前利用腔[1]、纳米线[2]和纳米颗粒[3]等结构可以实现较长距离的量子点纠缠。在此我们基于金属纳米球结构研究了失谐对两量子点纠缠的影响。首先,我们在弱激发条件下推导了有效哈密顿量,并以此解释了失谐增强纠缠的机