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利用分子束外延技术制得结构不同的 InAs 量子点样品，运用原子力显微技术（AFM）表征量子点的大小和浓度，并采用分光法对样品的光致发光效率进行研究。发现在 InAs 层和 GaAs 覆盖层之间插入 In0.2Al0.8As 隧道阻挡层，不但可以调谐 InAs 量子点的发射波长，使发射波长接近 1300nm,而且可以使 InAs 量子点发射强度增加，增加量超过一个数量级。量子点发射强度的增强意味着光复合效率提高，经分析表明这种光复合效率的提高主要是由浸润层中的非辐射跃迁受到抑制引起的。