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在大容量SRAM存储器中,敏感放大器成为影响SRAM读出数据的关键.本文对传统锁存式敏感放大器进行研究,提出了一种65nm工艺下带漏流控制的放大器改进方法,通过在放大器中增加位线漏流控制晶体管,加快位线放电速度.实验数据表明,改进后的放大器比原电路快了30.364ps,进一步提升了放大器的性能.