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该文初步综述了近年来关于MOS结构热生长SiO[*v2*]膜中电荷陷阱的实验方法和结果。作者推广了Meyer和Crook的结果,并且提出一个简单的体内电荷陷阱导致本征击穿的物理模型。根据这个模型计算了SiO[*v2*]本征击穿电场与膜 厚度的关系。发现在膜厚为200-1010A°范围内,模型的结果与实验数据符合很好。对于更薄的膜,因界面/体积比增大,界面的作用更为突出。该文也简单地讨论了界面陷阱导致的本征击穿。(本刊录)