【摘 要】
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针对毫米波和太赫兹器件对于大电流密度阴极的要求,利用常规工艺制备了含Sc2O3和SrO的浸渍钡钨阴极.电子发射测试结果表明,该阴极具有优异的电子发射性能,在1100℃的发射电流
【机 构】
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中国科学院电子学研究所 中国科学院高功率微波源与技术重点实验室 北京100190
【出 处】
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中国电子学会真空电子学分会第十九届学术年会
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针对毫米波和太赫兹器件对于大电流密度阴极的要求,利用常规工艺制备了含Sc2O3和SrO的浸渍钡钨阴极.电子发射测试结果表明,该阴极具有优异的电子发射性能,在1100℃的发射电流密度达到280Mcm2并且具有较低的蒸发速率2.53×10-8g/cm3s.值得一提的是,该阴极在低温区域(600～800℃)也具有电子发射能力,具体的发射机理有待进一步研究.此外,阴极表面成分和形貌分析结果表明,该类型的阴极存在孔内和孔端共发射.优异的电子发射能力和简单的制备工艺使含Sc2O3和SrO的浸渍钡钨阴极很有可能成为新型真空电子器件的候选阴极之一.
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