光照对AlzGa1-zNGaN异质结子带结构的影响

来源 :2006年全国博士生学术论坛——物理分论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：leezero555

【摘要】

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在极低温和强磁场下通过变温Shubnikov-de Haas(SdH)振荡测量，研究了AlXGa1-xN/GaN异质结的子带结构。观察到了磁致子带间散射效应。光照激发了GaN中的电子，使AlxGa1-xN/GaN异

【作者】

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唐宁周文政商丽燕郭少令褚君浩沈波王茂俊韩奎杨志坚徐科张国义林铁朱博

【机构】

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北京大学物理系，北京(100871)中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海(200083)

【出处】

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2006年全国博士生学术论坛——物理分论坛

【发表日期】

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2006年7期

【关键词】

：

异质结子带结构持续光电导振荡测量

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在极低温和强磁场下通过变温Shubnikov-de Haas(SdH)振荡测量，研究了AlXGa1-xN/GaN异质结的子带结构。观察到了磁致子带间散射效应。光照激发了GaN中的电子，使AlxGa1-xN/GaN异质界面处的二维电子气浓度增加。光照减弱了AlxGa1-xN/GaN异质结界面处量子限制，子带带底的能量差变小，SdH振荡的振幅增加。

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