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本文运用电子束辐照的方法可控地在硅中引入位错，并制备了pn结发光二极管，研究了其低温与室温的电致发光性能。研究表明，经电子束辐照引入的位错分布弥散，呈碎片状。制备的pn结器件在低温具有显著的D1发光，开启电流仅为0.02A/cm2，而D2、D3与D4峰不可见。器件在室温有明显的带边发光与在~1.6 μm的D1电致发光。