溅射Cu膜方式对ZrN扩散阻挡层热稳定性的影响

来源 :TFC'2005全国薄膜技术学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：crystal19900224

【摘要】

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　　用射频磁控反应溅射法在Si(111)单晶基体上沉积ZrN扩散阻挡层,随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(UBMS)沉积Cu膜.用XRD分析Cu膜的结构,AES分析

【作者】

：

宋忠孝[1] 徐可为[2] 范多旺[3]

【机构】

：

西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,西安,710049西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室,兰州,730070

【出处】

：

TFC'2005全国薄膜技术学术研讨会

【发表日期】

：

2005年9期

【关键词】

：

Cu膜 ZrN膜扩散阻挡层热稳定性

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　　用射频磁控反应溅射法在Si(111)单晶基体上沉积ZrN扩散阻挡层,随后在其上分别用直流脉冲平衡磁控溅射(BMS)和非平衡磁控溅射(UBMS)沉积Cu膜.用XRD分析Cu膜的结构,AES分析薄膜成分,AFM观察沉积态Cu膜的表面形貌.结果表明,UBMS沉积的Cu膜可有效抑制Cu与Si基体之间的扩散,提高ZrN扩散阻挡层的热稳定性,UBMS沉积的Cu膜对扩散地抑制作用与其致密的结构有关.

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