分别采用了GaAs基p掺杂的多层InAs量子点外延材料和InP基量子级联外延材料制备了近红外1.2μm波段、中红外4.5μm波段的“J”型波导结构的器件。器件测试结果表明，量子点“J”型波导器件在室温950mA工作电流下，连续输出功率超过20mW，光谱宽度为134nm，然而，对于“J”型波导结构的量子级联器件的测试表明其仍显示了激光器激射的特性，为了进一步降低反射率、有效地抑制器件激射，采用聚焦离子束（FIB）刻蚀器件直段部分的后腔面，刻蚀角度分别选取15°、17°和19°。对器件在80K脉冲工作条件下进行测试，在刻蚀角度为19°时得到了中心波长在4.5μm的中红外超辐射光源。在此基础上，利用不同腔长激光器的阈值电流密度与阈值增益的相互关系，结合以上近红外与中红外宽谱超辐光源的器件测试结果，得出结论：制备近红外量子点超辐射发光管时，前、后腔面反射率达到10-3即可抑制激射实现超辐射；而对于中红外量子级联超辐射光源而言，当发射率达到10-6时才可以抑制器件的激射，获得宽谱器件。