【摘 要】
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宽带系半导体ZnO (E=3.37 eV)具有很大的激子束缚能(60 meV).近年来作为平板显示、紫外激光、紫外探测、太阳能电池等光电器件的重要材料受到广泛的关注.随着器件的微型
【机 构】
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江苏大学光子制造科学与技术中心,镇江 212013
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
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宽带系半导体ZnO (E=3.37 eV)具有很大的激子束缚能(60 meV).近年来作为平板显示、紫外激光、紫外探测、太阳能电池等光电器件的重要材料受到广泛的关注.随着器件的微型化，一系列与表面相关的科学问题一直困扰着人们，因此获得具有表面超疏水特性的ZnO微纳米结构，并研究其光学性质，对于提高微纳米光电器件表面的抗粘附和抗腐蚀性能具有重要的现实意义.本文利用VLS的方法在ITO衬底上制备了类草坪状的ZnO结构，其表面与水的接触角为150.7°，具有超疏水特性.同时在室温下我们测得了ZnO纳米草坪结构的光致发光谱，通过变温光致发光谱的研究我们确认室温下观察到的位于3.28eV较强的紫外发射峰归结为自由激子及相关发射的叠加.
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