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该文研究了用射频溅射法制备的金属／半导体磁性颗粒膜Fe x（In 2 ○ 3）2-的电阻和磁电阻特性，特别是低温下二者的温度关系。发现在2K下，磁电阻比达-86℅，并用近藤（KondO）效应，对此做了解释。
Fe x（In 2○ 3）1-X颗粒膜的巨磁电阻研究①
【摘 要】
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该文研究了用射频溅射法制备的金属／半导体磁性颗粒膜Fe x（In 2 ○ 3）2-的电阻和磁电阻特性，特别是低温下二者的温度关系。发现在2K下，磁电阻比达-86℅，并用近藤（KondO）效应，对此做了
【机 构】
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大学物理系(济南)
【出 处】
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中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议
【发表日期】
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1998年期
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