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采用PECVD的方法在硅片表面淀积氮化硅是晶体硅太阳能电池生产工序中的重要工序。淀积的氮化硅膜不但能降低电池的反射率，还能对电池表面进行良好的钝化，提高电池的性能。目前管式PECVD的菜单中都有一步通入氨气同时开启射频的预清洗步骤，主要目的是利用氢离子钝化硅片，提升硅片的材料质量，但是等离子体的轰击本身也会对硅片表面造成损伤，增加表面复合。近几年来随着铸锭及长晶工艺的改进，硅片材料的质量越来越好，因此预清洗步骤对硅片材料质量的提升幅度越来越有限，等离子轰击对硅片表面造成的损失将成为影响电池性能的主要因素。本文通过实验对比了保留与去除预处理步骤对最终电池性能的影响。