【摘 要】
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通过对TC4合金在电子束冷床熔炼过程中Al元素挥发的过程分析和理论计算,掌握了Al元素挥发机理和挥发动力学,得出结论:冷床中液态熔池边界层的扩散和液/气态界面的挥发是挥发
【机 构】
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西安交通大学,陕西 西安 710049 西北有色金属研究院,陕西 西安 710016
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通过对TC4合金在电子束冷床熔炼过程中Al元素挥发的过程分析和理论计算,掌握了Al元素挥发机理和挥发动力学,得出结论:冷床中液态熔池边界层的扩散和液/气态界面的挥发是挥发的两个关键步骤.熔池表面温度低时,界面挥发传质系数比液相边界层传质系数要小一个数量级,因此铝元素的挥发过程主要受控于液/气界面挥发过程.随着熔池表面温度的升高,界面挥发传质系数增大,传质受到界面挥发和液相边界层扩散的双重控制.计算结果和试验结果吻合很好.
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