用真空热处理法增进石墨包裹奈米钴晶粒之包覆良率

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石墨包裹奈米钴晶粒是具有独特几何构造的复合材料,粒径分布在5~50nm之间(少数可达到100nm),其核心部分为钴金属晶体,外覆数层到数十层的石墨外壳,具有耐强酸、耐高温(在无氧状态下)与超顺磁性等特性。用电弧法来制造此类材料,虽然可以提高初产物的产量(其中包含碳杂质与未包裹好的晶粒),但包裹良好的比例仍然只能达到10%左右,本工作利用石墨在高温下会发生石墨化作用的特性,将初产物再经过真空热处理后,可以有效地将包覆良好之产品比例提升至25%以上,真空热处理的结果显示,最佳热处理温度并不是前人所认为的钴金属催化石墨化的最佳温度600℃,而是较低温的500℃左右。
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