【摘 要】
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通过发展计算磁流体两相流动的数值方法，直接模拟了Ar气泡在GaInSn中的上升，并讨论了水平磁场对其运动特性的影响。由于GaInSn的密度很大，使得气泡运动的Re高达4000左右。在无磁场时，观察到了气泡形状的剧烈变化，气泡上升路径的不稳定性以及气泡尾涡结构的脱落，这些与前人实验观测相一致。在加载水平磁场后，发现磁场使得气泡形变更小，尾涡更加稳定，上升轨迹逐渐变得竖直，但上升速度的变化却与磁场大小
【机 构】
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中国科学院大学物理学院,北京101408
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通过发展计算磁流体两相流动的数值方法，直接模拟了Ar气泡在GaInSn中的上升，并讨论了水平磁场对其运动特性的影响。由于GaInSn的密度很大，使得气泡运动的Re高达4000左右。在无磁场时，观察到了气泡形状的剧烈变化，气泡上升路径的不稳定性以及气泡尾涡结构的脱落，这些与前人实验观测相一致。在加载水平磁场后，发现磁场使得气泡形变更小，尾涡更加稳定，上升轨迹逐渐变得竖直，但上升速度的变化却与磁场大小以及气泡大小有关。另外在水平磁场中，最显著的特点是气泡形态和流场信息不再均匀，呈现出各向异性，这与洛伦兹力的非均匀分布有关。
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