【摘 要】
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采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的MgZnO薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的MgZnO薄膜的结构、表面形貌.结果表明,MgZnO薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显
【机 构】
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山东大学物理与微电子学院(山东济南)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
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采用射频磁控溅射的方法在硅衬底上生长出高质量的Mg<,0.16>Zn<,0.84>O薄膜.用X射线(XRD)、原子力显微镜(AFM)分别研究了在200、400、600和800℃下空气中退火2h的Mg<,0.16>Zn<,0.84>O薄膜的结构、表面形貌.结果表明,Mg<,0.16>Zn<,0.84>O薄膜是六角纤锌矿结构,具有沿与衬底垂直的C轴的择优取向;随着样品退火温度的升高,(002)衍射峰强度明显增强,衍射峰半高宽(FWHM)由0.86°单调地降低到0.40°,晶粒大小明显增大,最大的高达400nm以上.用TV1900型双光束紫外可见分光光度计测量了淀积在蓝宝石衬底上的Mg<,0.16>Zn<,0.84>O薄膜室温的透射谱,得到可见光区的平均透过率约为95﹪,进而估算出Mg<,0.16>Zn<,0.84>O薄膜的带隙宽度约为3.58eV.
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采用YCl溶液作为施主掺杂剂,在空气中烧结制备一系列BaTiO陶瓷样品,对其室温电阻率及PTC效应进行研究.同时与YO和YNO溶液掺杂的样品对比,借助XRD、XRF等分析手段,研究了Ycl溶液掺杂降低BaTiO基PTCR陶瓷室温电阻率的机理.研究结果表明,经空气中高温烧结后,样品中仍残留部分Cl元素,能取代O位起施主作用,烧结时Cl的挥发过程也能导致样品室温电阻率的降低,最后,施主掺杂剂以溶液的形
采用微波反应技术,合成了一系列BaTiXnO固溶体纳米粉末(0≤x≤0.5),反应时间缩短为20min.XRD物相分析和d-间距-组成图证明,产品为立方晶系的完全互溶取代固溶体,结果符合Vegard定律.TEM形貌观察,粒子为均匀球形,平均粒径40nm.制陶实验测得材料室温介电常数为10100,纳米粉体的烧结温度为1100℃,比传统微米级粉体的烧结温度降低200~250℃.
利用激光分子束外延技术(LMBE)在Si(111)、SrTiO(100)单晶基片上在(10Pa)高真空环境中外延生长SrTiO(STO)、BaTiO(BTO)、BaSrTiO(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式.根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁
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以五氧化二铌(NbO)为原材料通过络合反应合成了铌的前驱体溶液,并与醋酸铅(Pb(Ac)),醋酸镍(Ni(Ac))混合,于200℃水热条件下进行预反应.水热预产物经进一步煅烧,成功获得了纯钙钛矿相PNN粉体.采用XRD和Raman分析,研究了水热时间,溶液pH值,煅烧温度等条件对PNN粉体相结构的影响,分析了粉体的相结构变化规律.结果表明,经过水热处理的粉体,在900℃煅烧后,形成具有钙钛矿结构P
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