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气敏传感材料响应机理的研究对于传感器性能的改善具有重要意义。半导体氧化物的气敏响应机理通常为表面控制型，传感器灵敏度与传感材料表面化学反应密切相关[1-5]。为了研究气敏响应过程中Au/In2O3表面可能存在的化学反应，我们利用程序升温表面反应-质谱(TPSR-MS)联用技术表征气敏响应过程中的生成产物，进而推断气敏响应机理。