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过渡金属氧化物由于其优越的物理化学性能，已成为人们研究的热点.尤其是氧化钛，作为一种宽禁带半导体材料(3.0-3.2 eV)，具有良好的化学稳定性，不发生光腐蚀、无毒、无污染、生产成本较低等特点.因而被广泛地应用于催化材料[1]、气敏元件[2-5]、光电池[6]等领域.
团簇Tin-mZrmO2n[n=2-7,m=0-(n-1)]的密度泛函理论研究
【摘 要】
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过渡金属氧化物由于其优越的物理化学性能，已成为人们研究的热点.尤其是氧化钛，作为一种宽禁带半导体材料(3.0-3.2 eV)，具有良好的化学稳定性，不发生光腐蚀、无毒、无污染、生产成本较低等特点.因而被广泛地应用于催化材料[1]、气敏元件[2-5]、光电池[6]等领域.
【机 构】
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太原理工大学物理与光电工程学院,太原,030024
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
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