【摘 要】
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半导体激光器泵浦1.3 μm钕离子激光器在很多领域都有重要的用途.首次通过采用腔倒空锁模技术获得了平均功率3.2 W,脉冲宽度4.7 ns,基模输出的1342 nm Nd∶YVO4激光,最大峰值
【机 构】
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中国科学院理化技术研究所,北京100190
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半导体激光器泵浦1.3 μm钕离子激光器在很多领域都有重要的用途.首次通过采用腔倒空锁模技术获得了平均功率3.2 W,脉冲宽度4.7 ns,基模输出的1342 nm Nd∶YVO4激光,最大峰值功率达到了117 kW.采用再生放大技术,880 nm半导体激光器作为泵浦源,首次获得了高能量高光束质量皮秒1342 nm激光脉冲,在10 kHz重复频率下最大平均功率达到1.6 W,脉冲宽度为45 ps,相应的峰值功率为3.6 MW,该结果为目前报道的在千赫兹重复频率下1.3 μm激光器最大的峰值功率.
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