电源频率、内冷水和半导体涂层对介质损耗因数和电容量试验的影响与分析

来源 :中国电机工程学会大电机专委会2011年学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gengxuetao
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  分析了电源频率、内冷水和半导体涂层对定子整相绕组介质损耗因数(tan δ)和电容量(C)测量试验的影响,并给出了减小这些影响的方法。这两个试验通常用于发电机定子绕组绝缘的老化鉴定。目前该试验在现场通常以数字化测量的方式进行,测量单元可以接在高压侧或低压侧。电源频率对试验数据的影响取决于测量单元所使用的算法。根据该算法可以将其它频率下的试验数据换算到工频下。绕组的tan δ将随着内冷水电导率的增大而增大。测量单元接在低压侧可以降低内冷水的影响。半导体涂层劣化会使△C变小,使△tan δ变大。介质损耗因数和绕组电容量测量试验的数据分析的基本方法是对△C和△tan δ进行趋势分析。这可以在一定程度上克服半导体涂层的影响和阀值比较分析的局限性。
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