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由于T-型结构对残余张应力敏感,所以可用于现场残余张应力的测量.在考虑樑中残余张应力情况下,给出了关于残余张应力和杨氏模量比值的理论计算公式的推导过程,用LPCVD技术制作了几种不同大小的T-型梁结构,并用两种公式计算了残余张应力与杨氏模量比值,两种公式的计算结果相差9.65％.
现场测量薄膜残余张应力的T-型结构
【摘 要】
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由于T-型结构对残余张应力敏感,所以可用于现场残余张应力的测量.在考虑樑中残余张应力情况下,给出了关于残余张应力和杨氏模量比值的理论计算公式的推导过程,用LPCVD技术制
【机 构】
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中国科学院声学研究所,北京,100080
【出 处】
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2003第三届精密工程学术研讨会
【发表日期】
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2003年期
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