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会议论文
现场测量薄膜残余张应力的T-型结构
现场测量薄膜残余张应力的T-型结构
来源 :2003第三届精密工程学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhuang_3210
【摘 要】
:
由于T-型结构对残余张应力敏感,所以可用于现场残余张应力的测量.在考虑樑中残余张应力情况下,给出了关于残余张应力和杨氏模量比值的理论计算公式的推导过程,用LPCVD技术制
【作 者】
:
徐方迁
徐联
何世堂
【机 构】
:
中国科学院声学研究所,北京,100080
【出 处】
:
2003第三届精密工程学术研讨会
【发表日期】
:
2003年期
【关键词】
:
现场测量
薄膜
残余张应力
模量比
理论计算公式
应力敏感
杨氏
推导过程
力的测量
梁结构
技术制作
公式计算
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由于T-型结构对残余张应力敏感,所以可用于现场残余张应力的测量.在考虑樑中残余张应力情况下,给出了关于残余张应力和杨氏模量比值的理论计算公式的推导过程,用LPCVD技术制作了几种不同大小的T-型梁结构,并用两种公式计算了残余张应力与杨氏模量比值,两种公式的计算结果相差9.65%.
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