【摘 要】
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砷化镓(GaAs)单晶是重要的半导体材料,通常采用VGF/VB、HB以及LEC等方法生长。本文报道了砷化镓单晶改进型坩埚下降法生长研究结果,研究了工艺参数对晶体质量的影响,探讨了孪
【机 构】
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杭州上晶光电有限公司;上海应用技术学院;
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砷化镓(GaAs)单晶是重要的半导体材料,通常采用VGF/VB、HB以及LEC等方法生长。本文报道了砷化镓单晶改进型坩埚下降法生长研究结果,研究了工艺参数对晶体质量的影响,探讨了孪晶、表面麻坑等宏观缺陷的成因。通过优化晶体生长条件,包括固液界面处的温度梯度、晶体生长速度、炉体控制温度、原材料形态以及液封剂B2O3的含水量等,成功获得了直径2英寸、长度超过70mm且完整性良好的掺Si低阻GaAs单晶。电学性能测试表明,晶体头尾各项性能指标处于同一水平,能满足LED的使用要求。
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