【摘 要】
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基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京 100083
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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基于AlGaN/GaN异质结构材料,制备了击穿电压为1050V,特征通态电阻为4.0 mncm2的电力电子器件。研究了不同场板长度对器件电学性能的影响,发现场板长度对器件的直流特性和特征通态电阻影响较小,对器件的击穿电压影响较大。通过优化场板长度,获得了击穿电压为l050V的电力电子器件,此时器件的特征通态电阻为4.0 mΩ。cm2,是相同击穿电压SiMOSFET的电阻的二十分之一。本文结果证明了场板在提高器件击穿电压上有重要作用,也证明了AlGaN/GaN HEMT在功率电子应用领域必将成为最有潜力的电力电子器件之一。
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