论文部分内容阅读
该文研究了ＰＺＴ－ＳｒＢｉ〈，２〉Ｔａ〈，２〉Ｏ〈，９〉系复合压电陶瓷的显微结构、相组成、断裂韧性及介电性能。该复合陶瓷在１１００℃￣１２０００℃即可致密化。当第二相含量低于３ｍｏｌ℅时，复合陶瓷的介电常数随第二相的增加而急剧增大，并伴有显著的铁电弛豫特性。ＸＲＤ的结果表明第二相在ＰＺＴ内有部分固溶，其固溶限约为３ｍｏｌ℅左右；第二梓含量高于３ｍｏｌ℅的样品，两相能稳定共存。复合陶瓷的断裂韧性随ＳｒＢｉ〈，２〉Ｔａ〈，２〉Ｏ〈，９〉含量的提高可增至１．８ＭＰａ·ｍ〈’１／２〉。