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二氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)都是重要的n-型半导体,其带隙宽度分别为3.6 eV和3.37 eV.因为它们具有独特的物理和化学性能,所以被广泛的应用在发光器件和气体传感器中[1].近年来,二者的复合结构也引起了研究者的兴趣[2].然而,大面积、质量轻的SnO2@ZnO复合结构至今未见报道.