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本文首先采用水热法制备有序排列的ZnO纳米棒,再采用化学气相沉积(CVD)法在ZnO纳米棒上生长ZnO纳米线,制备了ZnO复合纳米结构.采用扫描电子显微镜(SEM)对所制备样品的形貌进行表征,并对其场发射性能进行研究.结果表明:ZnO复合纳米结构的ZnO纳米线垂直生长于ZnO纳米棒的表面;ZnO复合纳米结构的场发射性能明显优于一次生长的ZnO纳米棒,其开启场强为2.97 V·μm-1.