【摘 要】
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基于传统的带隙基准源的电路结构设计了一种自启动的CMOS带隙基准电压源,利用自偏置结构的电流镜减小电路的工作电流,降低芯片功耗,大幅度缩小芯片面积;在双极型晶体管的附近
【机 构】
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南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210003
【出 处】
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中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会
论文部分内容阅读
基于传统的带隙基准源的电路结构设计了一种自启动的CMOS带隙基准电压源,利用自偏置结构的电流镜减小电路的工作电流,降低芯片功耗,大幅度缩小芯片面积;在双极型晶体管的附近并联电阻,实现输出电压的可调节.该电路主要包括带隙基准核心电路、自偏置电流镜,二级运放以及自启动电路.基于CSMC0.5μmCMOS工艺,利用Spectre仿真结果显示,带隙基准电压源输出1.2V的基准电压,静态功耗为32.7μW,且在-20℃～140℃温度范围内,温漂系数为3.125ppm/℃,电源电压在2V～4V之间变化时,电源抑制比为59.172dB.
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