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对n沟道MOS器件的栅氧化层进行了x射线辐照试验和低电压静电放电(ESD)试验，分别在试验前后测量了样品的转移(IDs-Vg)特性和C-V特性。测量结果表明：两种试验具 有等效性。试验后MOS器件的阈值电压和C-V曲线的平带电压向负方向漂移。两种试验都在栅氧化层界面附近引进了不容易消除的附加正电荷。该文还根据实验结果对上述两种应力下MOS器件的退化机理进行了分析。