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MGxB2起始成分对不可逆场和临界电流密度的影响

来源 :第八届全国超导学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qq237599512

【摘 要】

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本文用固相反应法成功合成了MgxB2(0.5≤x≤1.3)系列样品,并对其结构,临界电流密度(Jc)和不可逆场(Hirr)进行了研究.实验结果表明,随着x增大晶格常数a逐渐增大,而晶格常数c在

【作 者】

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王关生 许高杰 浦其荣 张建武 J.-C. Grivel N.H. Andersen 丁泽军 

【机 构】

：

中国科学院中国科学技术大学物理系,合肥,230026中国科学院中国科学技术大学物理系,合肥,230026;MaterialsResearchDepartment,RisoeNationalLabora

【出 处】

：

第八届全国超导学术研讨会

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

MgxB2 不可逆场 临界电流密度 

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本文用固相反应法成功合成了MgxB2(0.5≤x≤1.3)系列样品,并对其结构,临界电流密度(Jc)和不可逆场(Hirr)进行了研究.实验结果表明,随着x增大晶格常数a逐渐增大,而晶格常数c在x=0.9左右达到最大值.所有x>0.5的样品在零场下的Jc值都在106A/cm2左右.然而在高磁场下,Mg缺位的样品的Jc值要比Mg富足的样品的Jc值大.20K时,Mg0.8B2样品的不可逆场达到最大值5.2T,比MgB2样品要高出0.8T.研究表明,高磁场下Hirr和Jc的增大可能与MgB4纳米粒子的形成有关.

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