【摘 要】
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本文以α-Al2O3、γ-Al2O3和活性碳为原料,采用高温碳热还原氮化在氮气保护气氛下常压合成了AlON粉体.并探讨了氧化铝晶型、氧化铝和碳粉的配比、合成温度、保温时间等工
【机 构】
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中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波315201
【出 处】
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2015中国(景德镇)高技术陶瓷国际论坛暨第九届亚洲陶瓷材料研讨会
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本文以α-Al2O3、γ-Al2O3和活性碳为原料,采用高温碳热还原氮化在氮气保护气氛下常压合成了AlON粉体.并探讨了氧化铝晶型、氧化铝和碳粉的配比、合成温度、保温时间等工艺条件对合成AlON粉体纯度的影响,通过对合成粉料的XRD、SEM分析,发现AlON的在低于1900℃下烧结存在氧化铝和氮化铝杂质,并且在1900℃,保温2h能够得到晶形发育完善、粒度均匀、纯度高的AlON粉体.当碳含量为5.6％时,氮气流量为4 L/min,制备得到纯度达98％以上的AlON粉体；通过对比γ-Al2O3和α-Al2O3,发现γ-Al2O3晶型更有利于AlON粉体的形成.
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