【摘 要】
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本文以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)做缓冲层，用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出具有钙钛矿结构的0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3(PSTT10)铁电薄膜。PSTT10薄膜分别在高衬
【机 构】
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四川大学 材科科学与工程学院，四川 成都 610064 绵阳师范学院 物理与电子信息工程系，四川 绵阳 621000
【出 处】
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第十二届全国电介质物理、材料与应用学术研讨会
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本文以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)做缓冲层，用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出具有钙钛矿结构的0.9Pb(Sc0.5Ta0.5)O3-0.1PbTiO3(PSTT10)铁电薄膜。PSTT10薄膜分别在高衬底温度和低衬底温度下生长并进行快速退火。研究了不同热处理工艺对PSTT10铁电薄膜性能的影响。发现在高衬底温度下生长随后进行快速退火制备的PSTT薄膜的铁电性能更好，而在低衬底温度下生长随后进行快速退火制备的PSTT10薄膜的致密性更佳。
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