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本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理，进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究，研制出了加固样品，并通过地面模拟试验源的辐照试验，对样品进行了单粒子效应敏感度测试评估。试验结果表明，经加固的器件样品其抗单粒子效应能力有了明显提高.
VDMOS器件单粒子加固技术研究
【摘 要】
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本文主要结合功率VDMOS器件单粒子效应的损伤机理，进行了VDMOS器件结构和工艺技术的加固研究，研制出了加固样品，并通过地面模拟试验源的辐照试验，对样品进行了单粒子效应敏感度测
【机 构】
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西安微电子技术研究所陕西西安710054
【出 处】
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第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
【发表日期】
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2009年7期
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