MFMIS结构铁电场效应晶体管研究

来源 :第十二届全国青年通信学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hnaylz

【摘要】

：

采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管

【作者】

：

蔡道林李平翟亚红张树人

【机构】

：

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

【出处】

：

第十二届全国青年通信学术会议

【发表日期】

：

2007年期

【关键词】

：

结构铁电场效应晶体管滞回曲线存储窗口铁电薄膜金属集成技术沟道存储性能磁控溅射顺时针绝缘层多晶硅半导体择优极化法制电压衬底

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采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的p沟道铁电场效应晶体管.研究表明具有顺时针的Id-Vg滞回曲线的p沟道PZT铁电场效应晶体管能实现极化存储性能,并且在-5V到+5V的Va电压下从Id-Vg滞回曲线中都得到了1V的存储窗口.存储窗口随-Vg的增大而增大。

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