【摘 要】
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本文研究了采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备的N型微晶硅氧薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅氧薄膜存在着生长结构的纵向不均匀,生长初期存在一定的非晶孵
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
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本文研究了采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备的N型微晶硅氧薄膜的纵向均匀性.喇曼测试结果显示:微晶硅氧薄膜存在着生长结构的纵向不均匀,生长初期存在一定的非晶孵化层,随着厚度的增加材料的晶化率逐渐增大,最后趋于稳定.在薄膜生长初期通过增加氢稀释率和增加辉光功率可以有效降低孵化层厚度,提高薄膜纵向均匀性.将不同折射率的N型微晶硅氧薄膜应用在电池当中,相比较采用N型非晶硅具有相同厚度N层的非晶硅太阳电池,短路电流密度提高5.7％,电池效率提高3.6％.
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