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P型掺杂PbTe晶体的生长及热电性质研究
P型掺杂PbTe晶体的生长及热电性质研究
来源 :全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:loveandlove
【摘 要】
:
该文介绍了利用区熔法生长P型PbTe晶体(掺Ag或Na)。对生长样品的热电特性进行了测量,并结合实际数据进行了分析。实验表明,掺Na的pbTe在较高温度(约800K)时,其Seebeck系数最大,为270u
【作 者】
:
李锡华
许瑞祥
【机 构】
:
国三重大学教育学部
【出 处】
:
全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
1998年期
【关键词】
:
掺杂
晶体
样品
系数
实际数据
热电特性
区熔法
高温度
室温
实验
测量
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该文介绍了利用区熔法生长P型PbTe晶体(掺Ag或Na)。对生长样品的热电特性进行了测量,并结合实际数据进行了分析。实验表明,掺Na的pbTe在较高温度(约800K)时,其Seebeck系数最大,为270uv/K区,而掺Ag样品在室温左右的Seebeck系数最大,约为280uV/K。
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