【摘 要】
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对PCVD法制备的纯硅芯、掺氟硅芯、掺锗硅芯以及氟锗共掺硅芯光纤预制棒的芯区进行了紫外吸收谱测试，并考察了248nm紫外激光辐照及热处理后紫外吸收谱的变化。结果表明，纯硅芯
【机 构】
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武汉理工大学材料科学与工程学院,长飞光纤光缆有限公司
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对PCVD法制备的纯硅芯、掺氟硅芯、掺锗硅芯以及氟锗共掺硅芯光纤预制棒的芯区进行了紫外吸收谱测试，并考察了248nm紫外激光辐照及热处理后紫外吸收谱的变化。结果表明，纯硅芯深紫外区的强吸收尾部延伸至紫外波段，掺氟后使深紫外段的吸收限向短波方向移动，从而降低了其对紫外波段的影响，辐照后纯硅芯的紫外吸收增加而掺氟硅芯的吸收出现下降。掺锗硅芯、氟锗共掺硅芯中均在240nm附近出现了氧不足锗缺陷（GODC）引起的吸收峰，但后者吸收峰强度明显低于前者，因为氟能与GODC发生反应从而降低了GODC浓度，且氟同时还能愈
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