双层侧壁保护的硅深槽刻蚀工艺技术研究

来源 :第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xp968
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本文介绍一种先进的ICP硅深槽刻蚀工艺,在刻蚀周期中引入少量的O2,形成由CFx聚合物淀积和氧离子幅照产生的双层保护层,强烈保护硅槽侧壁不被刻蚀,保证了高的各向异性刻蚀,有效的改善了硅深槽侧壁形貌,使得侧壁平坦光滑.
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