氮化镓材料的MBE生长研究

来源 :第六届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiahongtao
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本文介绍了在改造过的国产MBE设备上使用NH<,3>作氮源,采用GS MBE分法在(00001)Al<,2>O<,3>衬底上生长出了高质量的GaN单晶外延膜.
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