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对AlxGal-xAs高选择比的GaAs反应离子刻蚀(RIE)工艺研究
【机 构】
：
部第十三研究所GaAs超高速电路重点实验室(石家庄)
【出 处】
：
第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会
【发表日期】
：
1997年期
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