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半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量
半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流测量
来源 :第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenyanzhao12
【摘 要】
:
本文介绍了热激电流的测量装置和测量技术.测量了半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流镨,并依此计算了深能级的位置.研究了半绝缘砷化镓的化学配比与热激电流镨的关系.
【作 者】
:
李成基
李韫言
何宏家
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所(北京)
【出 处】
:
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
:
2002年期
【关键词】
:
半绝缘砷化镓
缺陷深能级
热激电流
测量装置
化学配比
测量技术
位置
计算
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本文介绍了热激电流的测量装置和测量技术.测量了半绝缘砷化镓中缺陷深能级的热激电流镨,并依此计算了深能级的位置.研究了半绝缘砷化镓的化学配比与热激电流镨的关系.
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