第五届全国非晶态材料和物理学术讨论会——非晶硅及其合金的物理性质

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【摘要】

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该论文集论述了：用时间扫描的内光发射电流谱研究a-Si:H带隙态；由SPV方法确定a-Si:H中的隙态密度；SCLC法测a-Si的有效隙态密度；a-Si:H中悬挂键的荷电状态和空间位置；由红外激励电

【出处】

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第五届全国非晶态材料和物理学术讨论会

【发表日期】

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1988年期

【关键词】

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无定形半导体硅合金物理性能分析方法半导体膜薄膜杂质试验非晶硅

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论文部分内容阅读

该论文集论述了：用时间扫描的内光发射电流谱研究a-Si:H带隙态；由SPV方法确定a-Si:H中的隙态密度；SCLC法测a-Si的有效隙态密度；a-Si:H中悬挂键的荷电状态和空间位置；由红外激励电流法估算a-Si:H悬挂键的能量位置；氢在a-Si:H的光致退化过程中的作用；非晶硅光致变化的饱和值；由退火激活能研究a-Si:H中的光致亚稳效应；a-Si:HPIN结构光诱导I-V特性可逆变化的输运特性理论分析；差分SPV法测定a-Si:HPIN结构I层少子扩散长度；掺杂a-Si:H的类玻璃性质；a-C:H的带尾特性研究等等。即讨论了非晶硅及其合金的物理性质。（张利摘）

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