【摘 要】
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采用热壁CVD生长系统在4英寸、4°偏角衬底上生长了180um厚的4H-SiC外延材料。采用Cl基碳化硅外延生长技术,生长速率为95um/h,厚度均匀性达到4.9%,掺杂浓度为3.7E1015cm-3,其
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采用热壁CVD生长系统在4英寸、4°偏角衬底上生长了180um厚的4H-SiC外延材料。采用Cl基碳化硅外延生长技术,生长速率为95um/h,厚度均匀性达到4.9%,掺杂浓度为3.7E1015cm-3,其均匀性达到20.12%,表面三角形缺陷密度为0.6cm-2,但是三角形面积较大,表面粗糙度在1.13左右。实验结果初步表面,在高速快速生长可以初步实现对外延层厚度、厚度均匀性以及掺杂浓度的控制;然而在厚外延的浓度均匀性、巨型三角形缺陷的控制方面还需要进一步优化工艺。
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