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对于全氟辛酸(PFOA)这一持久性有机污染物，发现In2O3半导体材料可使其有效降解;并对降解机理进行了研究。
全氟辛酸在氧化铟上光催化降解的机理研究
【摘 要】
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对于全氟辛酸(PFOA)这一持久性有机污染物，发现In2O3半导体材料可使其有效降解;并对降解机理进行了研究。
【机 构】
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清华大学环境科学与工程系,环境模拟与污染控制国家重点联合实验室,北京 100084
【出 处】
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2010年全国太阳能光化学与光催化学术会议
【发表日期】
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2010年期
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