论文部分内容阅读
在室温下能量为60keV,剂量为3.0×1015cm-2对晶面指数为(400)的P型硅样品中进行了的C+离子注入,对样品进行了XRD和拉曼光谱测试,同时与计算注入后样品的平均晶粒尺寸进行了对比,发现样品出现明显的晶格损伤。为判定损伤的类型,进一步采用X射线小角掠入射(GIXRD)检测。实验结果表明,样品中的损伤呈现出朝同一方向扭转的趋势。我们认为晶格的扭转是由注入导致的堆垛层错引起的。