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本文通过胶带对撕的方式在硅片(表面热氧化一层300nm二氧化硅)上沉积双层MoS2.接着通过光刻、电子束蒸发电极、剥离等传统微加工工艺制备晶体管结构。将MoS2晶体管置于内部特定气氛(该处为氧气)压强可调的密封腔体中进行相关电学测试:除此，还具体研究了气氛对于器件性能影响的可逆性，主要通过腔体抽真空、真空退火等手段。为了研究真空退火对器件性能影响的物理机制，利用X射线电子能谱来研究该过程前后MoS2样品表面的元素状态变化。研究得出：无论是随着O2压强的增加，还是在特定O2压强下暴露时间的增加，MoS2器件的性能都有明显的退化:主要表现为开状态下的电流与器件沟道表观迁移率。