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Tm3+、Ho3+ 掺杂的2.0μm波段CaNb2O6激光晶体研究
【机 构】
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福建省福州市鼓楼区杨桥西路155号 中科院福建物质结构研究所 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥
【出 处】
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第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2012年8期
其他文献
采用高压Na助熔剂法通过引入较大温度梯度(40～70℃/cm),获得了大量的尺寸为1-3mm的GaN晶体.研究的不同的高氮压对GaN晶体产率的影响.在氮压为7MPa条件下,GaN晶体的产率达到80％以上.
会议
InP具有高电光转换效率、强抗辐射能力、易于制成半绝缘材料、作为太阳能电池材料的转换效率高等优点.这些特性决定InP材料在固态发光、微波通信、光纤通信、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔.
:在室温下通过施加单轴应变,采用反射差分光谱观察到半绝缘GaAs 的平面内光学各向异性.我们发现随着单轴应变的增加,E0 和E0+D0,E1 和E1+D1[1]附近的光学各向异性增加.
会议